制造商
Toshiba SemIConductor and Storage
制造商零件编号
HN3C51F-GR(TE85L,F
描述 TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
晶体管类型 2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 120V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值 300mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74，SOT-457
供应商器件封装 SM6
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