制造商
Rohm SemIConductor
制造商零件编号
HP8KA1TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 40 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 14A 3W Surface Mount 8-HSOP
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2550pF @ 15V 功率 - 最大值 3W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-HSOP
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