制造商
EPC
制造商零件编号
EPC2105ENGRT
描述 MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 16 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die
系列 eGaN?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14.5 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 40V 功率 - 最大值 -
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 模具
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