制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFS31N20DTRRP
描述 MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
系列 HEXFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 Digi-Key 停止供應
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 107nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2370pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 82 毫欧 @ 18A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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