制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
FDS9926A
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 6 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 900mW Surface Mount 8-SO
系列 PowerTrench?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 650pF @ 10V 功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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