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-MOS场效应管2N7002 7002 0.115A/60V SOT23 N沟道 MOS管 品牌:CJ 型号:2N7002 类别:贴片 结构:平面型 封装形式:SOT-23 材料:硅 电流容量:小功率 封装材料:塑料封装-买卖IC网
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以下是,MOS场效应管2N7002 7002 0.115A/60V SOT23 N沟道 MOS管,品牌:CJ 型号:2N7002 类别:贴片 结构:平面型 封装形式:SOT-23 材料:硅 电流容量:小功率 封装材料:塑料封装
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MOS场效应管2N7002 7002 0.115A/60V SOT23 N沟道 MOS管
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,MOS场效应管2N7002 7002 0.115A/60V SOT23 N沟道 MOS管
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发 货 期: 7 天内发货
所 在 地: 广东 深圳市 福田区
发布日期: 2018年01月05日
深圳市恒胜泰科技有限公司
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联系人:林先生/林小姐 (先生)
电话:0755-82521107
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邮件:linfusheng1028@126.com
地址:深圳市福田区深南中路国利大厦B座29楼2938
的详细信息
品牌
CJ
型号
2N7002
类别
贴片
结构
平面型
封装形式
SOT-23
材料
硅
电流容量
小功率
封装材料
塑料封装
制造商零件编号:2N7002
描述:(HST)MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
类别:分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商:ON SemIConductor
系列:-
包装 :剪切带(CT)
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V@250μA
Vgs(最大值):±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max)@Vds:50pF@25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):200mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5欧姆@500mA,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
产品供应商:深圳市恒胜泰科技有限公司
一级分销商库房现货:
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TA31101AP
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TP5700N
MC3420L
M5481B7
ETC5054N/H
TC5501P
TC5514P
LS501P
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BL506AP
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NE5533N
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IH5012CPE
TCM5089N
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WD50C60-PG
TCM5091NS
LH5168D-10L
COSMOS019
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KDA0316N
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如需详细请联系:
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邮箱:linfusheng1028@126.com
公司主页:http://www.hst-dz.com/
阿里巴巴:https://hstkj98.1688.com/
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