制造商零件编号：IXFN38N100Q2
描述：（HST）MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）:1（无限）
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B

类别:分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商:IXYS

系列:HiPerFET 

包装 :管件 

零件状态:在售

FET 类型：N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1000V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：38A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V@8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：250nC@10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7200pF@25V

Vgs（最大值）：±30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：890W（Tc）

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）：250 毫欧@19A，10V

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

安装类型：底座安装

供应商器件封装：SOT-227B

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

产品供应商：深圳市恒胜泰科技有限公司

库房长期备货: