Digi-Key 零件编号 NTB45N06LT4GOSTR-ND
检查提前期
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
NTB45N06LT4G
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V Vgs（最大值） ±15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），125W（Tj）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 22.5A，5V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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