Digi-Key 零件编号 TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
制造商
Toshiba SemIConductor and Storage
制造商零件编号
TPC8026(TE12L,Q,M)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 6.5A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）
封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
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