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以下是，内置前放电路型双波长探测器 ，型号:内置前放电路型双波长探测器 厂家:1 批号:17 封装:sop ，请点击“询价”
-内置前放电路型双波长探测器 型号:内置前放电路型双波长探测器 厂家:1 批号:17 封装:sop-买卖IC网
内置前放电路型双波长探测器
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，内置前放电路型双波长探测器

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  • 供货总量： 30001
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  • 所 在 地： 广东 深圳市 罗湖区
  • 发布日期： 2017年06月21日
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型号内置前放电路型双波长探测器厂家1
批号17封装sop
内置前置放大电路型光电二极管
品牌筛选：
  • 全部    
  • First Sensor    
  • Laser Components    
  • Electro-OptICal Systems    
  • OSI Optoelectronics    
    • 分类筛选：
  • 全部    
  • 内置前放电路型硅光电二极管    
  • 内置前放电路型InGaAs光电二极管    
  • 内置前放电路型双波长探测器    
  • 硅（InGaAs）内置前放电路型雪崩管    
    • 内置前置放大电路型光电二极管 > 内置前放电路型硅光电二极管
    品牌筛选：
  • 全部    
  • OSI Optoelectronics    
    • 型号 光敏面尺寸(mm) 光敏面积(mm2) 响应度(A/W) NEP(W/√Hz) 运放供电电压(v) 增益带宽乘积(-) 开环增益(V/MV) 封装(-)
    UDT-451 ?2.54 5.1 0.65 1.4E-14@-10v,970nm +15 4 150 DIP
    UDT-455 ?2.54 5.1 0.65 1.4E-14@-10v,970nm +15 5.4 200 TO-5
    UDT-455LN** ?2.54 5.1 0.65 1.4E-14@-10v,970nm +15 1 2500 TO-5
    OSI-515# ?2.54 5.1 0.65@970nm 1.4E-14@-10v,970nm +15 26 6.3 TO-5
    UDT555D ?11.3 100 0.65@970nm 3.9E-14@-10v,970nm +15 5.7 220 special
    UDT-020D ?4.57 15 0.65@970nm 1.9E-14@-10v,970nm +15 5.4 200 TO-8
    UDT-455UV ?2.54 5.1 0.14@254nm 9.2E-14@-10v,970nm 15 5.4 200 TO-5
    UDT-455UV/LN** ?2.54 5.1 0.14@254nm 9.2E-14@-10v,970nm +15 1 2500 TO-5
    UDT-020UV ?4.57 16 0.14@254nm 1.3E-14@-10v,970nm +15 5.4 200 TO-8
    UDT-055UV ?7.98 50 0.14@254nm 2.1E-14@-10v,970nm +15 5.7 220 special
    UDT-555UV ?11.3 100 0.14@254nm 2.9E-14@-10v,970nm +15 5.7 220 special
    UDT-555UV/LN** ?11.3 100 0.14@254nm 2.9E-14@-10v,970nm +15 5.7 220 specia
    内置前置放大电路型光电二极管 > 内置前放电路型InGaAs光电二极管
    品牌筛选：
  • 全部    
  • OSI Optoelectronics    
    • 型号 光敏面尺寸(μm) 工作波长(mm) 响应度(V/W) 灵敏度(DBm) 低带通截止频率(KHz) 带宽(MHz)
    FCI-H125G-InGaAs-70 ?70 800-1700 2500 -28 900 45
    FCI-H250G-InGaAs-70 ?70 800-1700 2500 -24 1750 30
    FCI-H155M-InGaAs-70 ?70 800-1700 48000 -38 110 -
    FCI-H622M-InGaAs-70 ?70 800-1700 16000 -32 250 -
    内置前置放大电路型光电二极管 > 内置前放电路型双波长探测器
    品牌筛选：
  • 全部    
  • Electro-Optical Systems    
    • 型号 材料(-) 光敏面积(mm2) 工作波长(mm) 响应度(v/w@pk) 带宽(-3db)(Hz) 输出电压噪声(v/Hz1/2) NEP(w/Hz1/2@pk)
    S_G-025_020-H Si Ge 2.5/2.0 0.3-1.0/1.0-1.8 0.6 e8/0.6e7
    0.6 e7/0.6e6    		 DC-2K 1.2 e-6/1.2e-7
    4.0 e-6/4.0e-7    		 2e-14; 7e-13
    S_IGA-025_020-h Si InGaAs 2.5/2.0 0.3-1.0/1.0-1.7 0.6 e8/0.6e7
    0.6 e8/0.6e7    		 DC-2K 1.2 e-6/1.5e-7
    1.2e-6/1.5e-7    		 <2e-14; <2e-14
    S_IGA-050_030-H Si InGaAs 5.0/3.0 0.3-1.0/1.0-1.7 0.6 e8/0.6e7
    0.6 e8/0.6e7    		 DC-2K 1.2 e-6/4.0e-7
    4.0 e-6/3.0e-7    		 <2e-14; <7e-14
    S_IGA2.2-025_010-H Si InGaAs 2.5/1 0.3-1.0/1.0-1.7 0.6 e8/0.6e7 0.6 e6/0.6e5 DC-2K 1.2 e-6/e-7
    1.2 e-6/e-7    		 <2e-14; <2e-12
    S_IA-025_020-H Si InAs 2.5/2.0 0.3-1.0/1.0-3.5 0.6 e8/0.6e7 0.6 e4/0.8e3 DC-2K 1.2 e-6/1.2e-7
    1.2e-6/1.6e-7    		 <2e-14; <2e-10
    S_PBS-025_020-H Si PbS 2.5/2*2 0.3-1.0/1.0-2.6 0.6 e8/0.6e7
    5 e6/e5    		 DC-2K/5-500 1.2 e-6/1.2e-7 15e-6/e-7 <2e-14; <3e-12
    S_PBSE-025_020-H Si PbSe 2.5/2*2 0.3-1.0/1.0-4.5 0.6 e8/0.6e7
    1 e5/1e4    		 DC-2K/5-10K 1.2 e-6/1.2e-7
    10 e-6/e-7    		 <2e-14; <1e-10
    内置前置放大电路型光电二极管 > 硅（InGaAs）内置前放电路型雪崩管
    品牌筛选：
  • 全部    
  • First Sensor    
  • Laser Components    
    • 型号 带宽(MHz) 响应度(A/W) 输出噪声密度(nV/sqrt Hz) 输入参考噪声密度(pA/sqrt Hz) 噪声等效功率(W/√Hz)
    SAR500H2 10 kHz – 100 MHz 1.5@540nm
    2.5@650nm
    3.0@905nm
    0.5@1550nm    		 70 1.3 0.043@540nm
    0.029@650nm
    0.024@905nm
    0.130@1550nm
    AD230-9-400M-TO5 　 0.6 　 　 　
    AD500-9-400M-TO5 400 0.6 　 　 　

    　

    　

    　

    　

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