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FP25R12KE3
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,FP25R12KE3

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  • 发布日期: 2017年06月18日
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型号FP25R12KE3厂家INFINEON
批号1617+封装IGBT

产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon
RoHS:
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:1.7 V
在25 C的连续集电极电流:40 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:150 W
封装 / 箱体:EconoPIM2
最大工作温度:+ 125 C
商标:Infineon Technologies
高度:17 mm
长度:107.5 mm
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
工厂包装数量:10
宽度:45 mm
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