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100%正品IRFR024NTRPBF FR024N N沟道MOS场效应管
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，100%正品IRFR024NTRPBF FR024N N沟道MOS场效应管

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年06月17日
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型号IRFR024NTRPBF厂家IR
批号17+封装TO-252
类别：分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单
制造商：IR
系列：HEXFET
包装：带卷（TR） 
零件状态：在售
FET类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：55V
电流-连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：370pF@25V
Vgs（最大值）：±20V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
不同 Id，Vgs时的Rds On（最大值）：75毫欧@10A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D-Pak
封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
一级运营商：深圳市恒胜泰科技有限公司

正品库存：
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