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IRFU024PBF IR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单
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，IRFU024PBF IR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 南山区
  • 发布日期： 2017年06月06日
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类型分立半导体产品品牌IR
零件编号 IRFU024PBF-ND
制造商
Vishay SilIConix
制造商零件编号
IRFU024PBF
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 8.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251AA
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
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