零件编号 SVD5865NLT4GOSTR-ND
制造商 ON SemIConductor
制造商零件编号 SVD5865NLT4G
描述 MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
一般信息
数据列表 NVD5865NL;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 NVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G-ND
NVD5865NLT4GOSTR
NVD5865NLT4GOSTR-ND
SVD5865NLT4GOSTR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入
电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），71W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 19A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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