产品概览
制造商 Vishay SilIConix
制造商零件编号 VP1008B
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
文档与媒体
数据列表 VP0808B/L/M,VP1008B/L/M
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 设计/规格 Wire Bond 01/Jul/2016
PCN 组件/产地 SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 790mA（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入
电容（Ciss）（最大值）
150pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 欧姆 @ 1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐
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