产品概览
制造商 NXP USA Inc.
制造商零件编号 MRF7S21110HSR3
描述 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
扩展描述 RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 2.17GHz 17.3dB 33W NI-780S
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
产品属性
类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 过期
晶体管类型 LDMOS
频率 2.17GHz
增益 17.3dB
电压 - 测试 28V
额定电流 -
噪声系数 -
电流 - 测试 1.1A
功率 - 输出 33W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 NI-780S
供应商器件封装 NI-780S
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| M31002S2HP | MIT |
| TNETD5082GDJ | TI |
| TNETD5800GDL200 | TI |
| SK-HKCGJ33B-AV | NA |
| EP610ILC-10 | ALTERA |
| EP610SC-15 | ALTERA
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