| 型号 | IRFH5302TRPBF | 厂家 | IR |
| 批号 | 13+ | 封装 | DFN56 |
型号：IRFH5302TRPBF
品牌：IR
批号：13+
IC描述：MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
FET类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25℃时）：32A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：76nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4400pF @ 15V Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），100W（Tc）
不同Id，Vgs时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 50A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
全新原装正品现货
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