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SSM6J503NU 东芝MOS 原装进口

，SSM6J503NU 东芝MOS 原装进口

品牌	TOSHIBA	型号	SSM6J503NU
封装	UDFN6B

Characteristics	Symbol	Rating	Unit
Drain current	I_D	-6	A
Power Dissipation	P_D	1	W
Drain-Source voltage	V_DSS	-20	V
Gate-Source voltage	V_GSS	+/-8	V

项目	符号	条件	数值	单位
Input capacitance (Typ.)	C_iss	-	840	pF
Total gate charge (Typ.)	Q_g	-	12.8	nC
Drain-Source on-resistance (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=4.5V	0.0324	Ω
Drain-Source on-resistance (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=2.5V	0.0417	Ω
Drain-Source on-resistance (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=1.8V	0.0579	Ω
Drain-Source on-resistance (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=1.5V	0.0896	Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=4.5V	0.0277	Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=2.5V	0.0331	Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=1.8V	0.0406	Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=1.5V	0.0486	Ω
Gate threshold voltage (Max)	V_th	-	-1.0	V
Gate threshold voltage (Min)	V_th	-	-0.3	V

图文

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