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【MICRON系列】MT48LC16M16A2P-75 存储器IC 益辉科技

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所在地：广东深圳市福田区
发布日期： 2016年12月19日

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地址：深圳市福田区华强北华强广场D座10J / 深圳市深南中路3039号国际文化大厦1627

的详细信息

型号	MT48LC16M16A2P-75	厂家	MICRON
批号	15+	封装	TSOP-54

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MT48LC16M16A2P-75 概述如下：

256MB的SDRAM是高速CMOS ，动态随机存取记忆体载荷兰国际集团268435456位。它在内部配置为四银行DRAM

与同步的理性接口（所有信号记录在时钟信号CLK的上升沿）。每X4的67,108,864位银行的组织为8192行到

2048年列4位。每X8的67,108,864位银行的组织为8192行1024列由8位。每个x16的的67108864位的银行是由512

列组织为8192的行由16位。读取和写入访问的SDRAM是迸发导向;存取开始以选定位置并继续的位置的程序号

的程序SE-quence 。访问开始用积极的命令，它是那么的登记跟着通过读或写命令钮。地址位注册暗合了ACTIVE

命令用于选择银行和行进行访问（ BA [ 1 ： 0 ]选择银行; A [ 12 ： 0 ]选择行）。在阅读或地址位重合

注册WRITE命令被用来选择突发存取的起始列位置。SDRAM中提供可编程的读或写脉冲串长度（BL）的1 ，2，4 ，

或8个的位置，或在整页，用一个脉冲串终止的选择。自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电时

的末被启动，它将爆序列。该256Mb的SDRAM采用内部流水线结构来实现高速能操作通报BULLETIN 。此架构是与

预取的架构中的2n规则兼容，但它还允许将列地址到在每个时钟周期被改变，以实现高速，完全随机访问。预充

电一个存储在访问其他的一个三家银行将隐藏在预充电周期，并提供无缝，高速，随机DOM的访问操作。该256Mb

的SDRAM的设计在3.3V的存储器系统进行操作。自动刷新模式设置，以及一个省电，掉电模式。所有的输入和输

出看跌期权是LVTTL兼容。SDRAM芯片提供了实质性的进步， DRAM的经营业绩，包括能够同步地以高的数据速率

自动列地址的突发数据一代，有能力内部银行之间的交错隐藏预充电时间，并能力的突发期间，随意改变在每个

时钟周期的列地址访问。

产品参数图如下：

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