IS61WV25616BLL-10TLI是一个高速，262144字4194304位静态RAM组织由16位。 IS61WV25616BLL-10TLI采用ISSI公司的hgih高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程，再加上创新的电路设计技术，高性能和低功耗设备的产量。当CE为高电平时（取消选择），IS61WV25616BLL-10TLI假定功耗CMOS输入电平可降低待机模式。

参数上
IS61WV25616BLL-10TLI的大额定值：（1）相对于GND端电压：-0.5V至VDD+0.5 V;（2）VDD到GND-0.3V到4.0V（3）存储温度：-65 150℃;（4）功耗：1.0W。

特点
IS61WV25616BLL10TLI功能：（1）高速访问时间：8，10，20ns的;（2）积极低功率：为85mW;（3）低待机功耗：7MW CMOS待机;（4）单电源供电：2.4至3.6 V，（5）完全静态操作：没有时钟或刷新;（6）三态输出;（7）数据控制uppear和低字节（8）工业和汽车温度的支持;（9）无铅可用。