7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF7N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用
士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工
艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越
的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换
器,高压H桥PWM马达驱动。
特点
7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力