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IR原厂原装场效应管MOS IRF9Z34NPBF IRF9Z34N
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  • 发布日期: 2016年09月20日
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品牌IR型号IRF9Z34NPBF
封装TO-220-3用途SW-REG/开关电源
类型绝缘栅型场效应管沟道类型N沟道
导电方式增强型  

单 P 沟道 55 V 68 W 35 nC Hexfet 功率 Mosfet 法兰安装 - TO-220AB

制造商零件编号:IRF9Z34NPBF

安装方法: Flange Mount

封装形式: TO-220-3 (TO-220AB)

包装: TUBE

标准包装数量: 50

产品亮点
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.1 Ω
  • Qg Gate Charge: 35 nC
  • Rated Power Dissipation: 68 W

国际整流器公司的第五代HEXFET采用高级工艺技术,实现了极低的单位硅片面积导通电阻。它的这个优点加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了非常高效和可靠的器件,适用于各种应用。

TO-220封装通常是功耗值约为50 W的所有商业、工业应用的首选。TO-220的低热阻和低封装成本使其受到了整个行业的广泛认可。

特性

先进的工艺技术 动态dv/dt额定值 175 °C的工作温度 快速开关 P沟道 通过了完全雪崩测试 无铅

IRF9Z34NPBF是单P沟道MOSFET。它采用TO-220AB封装,管装发货。

总   机:O512-5O71O709
传   真:O512-5O1112O9
工厂专线:1595O933O5O
贸易专线:13914994568
Q   Q:41086900
E-Mail:master@ksmcu.com

 

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