最小击穿电压 30 V 端子数量 5 加工封装描述 ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN reach_compliant Yes 欧盟RoHS规范 Yes 状态 Active 额定雪崩能量 29 mJ 壳体连接 DRAIN 结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE drain_current_max__abs___id_ 16 A 最大漏电流 13.5 A 最大漏极导通电阻 0.0100 ohm 场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR jedec_95_code MO-240AA jesd_30_code R-PDSO-F5 jesd_609_code e3 moisture_sensitivity_level 1 元件数量 1 操作模式 ENHANCEMENT MODE 最大工作温度 150 Cel 包装材料 PLASTIC/EPOXY 包装形状 RECTANGULAR 包装尺寸 SMALL OUTLINE peak_reflow_temperature__cel_ 260 polarity_channel_type N-CHANNEL power_dissipation_max__abs_ 29 W 最大漏电流脉冲 50 A qualification_status COMMERCIAL sub_category FET General Purpose Power 表面贴装 YES 端子涂层 MATTE TIN 端子形式 FLAT 端子位置 DUAL time_peak_reflow_temperature_max__s_ 30 晶体管应用 SWITCHING 晶体管元件材料 SILICON