描述

SuperFET? II MOSFET 是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正 (PFC)、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

 特性

典型值 RDS(on) = 340 mΩ

超低栅极电荷（典型值 Qg = 43 nC）

低有效输出电容（典型值 Cosseff. = 138 pF)

100%经过雪崩击穿测试

符合 RoHS 标准

参数：

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