| 品牌 | AOS | 型号 | AOD2N60 |
| 封装 | TO-252 | 沟道类型 | N沟道 |
型号: AOD2N60
类别: fet - 单
制造商: Alpha & Omega SemIConductor Inc.
描述: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
?湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限）
FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2A（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.4 欧姆 @ 1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）: 325pF @ 25V 功率-最大值: 56.8W
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
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