| 型号 | SST29EE010-90-4C-NHE | 厂家 | SST |
| 批号 | 15+ | 封装 | PLCC |
公司秉承以用户需求为核心，坚持“质量到位、服务一流”的经营理念,在电子元器件－集成电路(IC)行业获得了客户的一致认可和高度评价,公司以为客户创造价值为己任，期待为您服务！联系方式：0755-83234059 手机：13612925116 QQ：2851397784 谢安妮！SST29EE010-90-4C-NHE 概述如下：该SST29EE / VE010是128K ×8 CMOS页写EEPROM的制造与SST专有的，高per-formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的可靠性和可制造性与替代比较的方法。该SST29EE / VE010写跟单电源。内部擦除/编程是透明的用户。该SST29EE / VE010符合JEDEC标准引脚为字节宽的回忆。拥有高性能的页面写的SST29EE /VE010提供39微秒典型的字节写入时间。该整个存储器，即， 128字节，可以被写入页逐在少至5秒，在使用界面功能页如翻转位或数据＃投票指示完井化一个写周期。为了防止意外写操作，在SST29EE / VE010具有片上硬件和软件数据保护方案。设计，制造，以及测试一个广泛的应用范围，在SST29EE /VE010提供有保证的页面，写endur-ANCE的10,000次。数据保留的额定功率为更大超过100年。该SST29EE / VE010适合于应用需要亲的方便和经济更新克，配置或数据存储器。对于所有系统应用中， SST29EE / VE010显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。该SST29EE / VE010提高的灵活性，同时降低了成本，程序，数据和置存储应用。为了满足高密度的表面安装的要求，SST29EE / VE010提供在32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也可用。
SST29EE010-90-4C-NHE 产品图如下：
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