该ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS工艺类似物开关包括三个独立可选的单刀,双掷SPDT开
关和4个可独立选择单刀双掷开关,分别。
所有通道表现出先开后合式开关动作防止短路瞬时切换频道时。
提供EN输入的ADG1233和ADG1234用于启用或禁用该设备。
禁用时,所有通道都关闭。该iCMOS工艺(工业CMOS )模块化制造工艺高电压互补金属氧化物相
结合的半导体(CMOS)和双极型技术。
它使范围广泛的高性能模拟集成电路发展可33 V工作电压的足迹,没有其他代高电压部分已经能够
实现。
不像模拟IC采用传统CMOS工艺,iCMOS工艺组件可以承受高电源电压,同时还能提升perfor-曼
斯,大大降低了功耗,并降低了封装尺寸。
超低电容和电荷注入这些多路复用器使他们的数据采集和采样和理想的解决方案持应用中,低毛刺
和快速建立时间是必需的。
快速开关速度与高信号带宽使部分适合视频信号切换。
iCMOS工艺施工确保超低功耗,理想使得部分适用于便携式和电池供电的仪器。应用于: ● 音频和视频路由
● 自动测试设备
● 数据采集系统
● 电池供电系统
● 采样保持系统
● 通信系统