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MT29F32G08CBACA 概述如下：

美光NAND闪存器件包括用于异步数据接口的高perform-ANCE I / O操作。 这些器件采用高复用8位总线（ DQX ）来传输命令，地址和数据。 有用于实现异步五个控制信号异步的数据接口： CE ＃ ， CLE ， ALE ， WE＃和RE ＃ 。 其他控制信号硬件写保护（ WP ＃）和监视设备状态（ R / B＃ ） 。 这种美光NAND闪存设备还包括一个用于同步数据接口高性能的I / O操作。 当同步接口是活动的， WE＃ BE-来自CLK和RE ＃变为W / R ＃ 。 数据传输包括双向数据选通（ DQS ） 。 这个硬件接口创建与重新一个标准的引脚的低引脚数器件主电源由一个密度到另一个相同的，从而使未来升级到更高densi-没有重新设计电路板的关系。 一个目标是内存芯片存取单元使能信号。 将目标包含一个或更多的NAND闪存裸片。 一个NAND闪存芯片的最小单位，可以独立执行命令并报告状态。 一个NAND闪存芯片，在ONFI规格，是称为一个逻辑单元（LUN ） 。 有关详细信息，请参阅设备和阵列组织。

产品参数图如下：

产品图如下：