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Infineon IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
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,Infineon IGBT 模块 IGBT 1200V 600A

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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2016年03月08日
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型号FF600R12ME4厂家Infineon
封装Tray  
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.1 V
在25 C的连续集电极电流:995 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
最大工作温度:+ 150 C
封装:Tray
商标:Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
Pd-功率耗散:4050 W
工厂包装数量:10
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