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以下是，IXSN35N100U1放大能力中文资料，品牌:IXYS 型号:IXSN35N100U1 类型:其他 沟道类型:N沟道 ，请点击“询价”
-IXSN35N100U1放大能力中文资料 品牌:IXYS 型号:IXSN35N100U1 类型:其他 沟道类型:N沟道-买卖IC网
IXSN35N100U1放大能力中文资料
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，IXSN35N100U1放大能力中文资料

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2015年11月06日
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  • 邮件：852844536@qq.com
  • 地址：深圳市福田区景田路81号碧景园D座302
品牌IXYS型号IXSN35N100U1
类型其他沟道类型N沟道
IXSN35N100U1详细参数
制造商: IXYS
配置: Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1000 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最大工作温度: + 150 C
集电极最大连续电流 IC: 38 A
最小工作温度: - 40 C
安装风格: 底座螺丝安装
包装数量： 10pcs


IXSN35N100U1反向偏置安全区域





IXSN35N100U1检查放大能力：
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅IXSN35N100U1场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

IXSN35N100U1最大额定值


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