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以下是，BSM75GB120DN2特征值及接线图，型号:BSM75GB120DN2 厂家:英飞凌 批号:1121 封装:IGBT ，请点击“询价”
-BSM75GB120DN2特征值及接线图 型号:BSM75GB120DN2 厂家:英飞凌 批号:1121 封装:IGBT-买卖IC网
BSM75GB120DN2特征值及接线图
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，BSM75GB120DN2特征值及接线图

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2015年10月30日
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型号BSM75GB120DN2厂家英飞凌
批号1121封装IGBT
BSM75GB120DN2详细参数
制造商: 英飞凌
系列: IGBT 模块
环保: 是
配置: Dual
发射极最大电压 : 1200 V
射极饱和电压: 2.5 V
25 C的连续集电极电流: 105 A
射极漏泄电流: 320 nA
最大工作温度: + 150 C
发射极最大电压: 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装方式: 底座安装
功率耗散: 625 W
包装数量: 10pcs

BSM75GB120DN2特征值图示


BSM75GB120DN2根据 RoHS（欧盟指令 2011/65/EU）， 在任何同质材料中按受重量限制物质的最大浓度值为：
.镉（Cd）/镉化合物 0.01%
. 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
.铅（Pb）/铅化合物 0.10%
. 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
.多溴联苯(PBB)0.10%
.多溴联苯醚(PBDE)0.10%
.含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
BSM75GB120DN2接线图



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