| 描述 |
| 高性能的ARM? ?m3 32位RISC核心操作以36
MHz的频率, |
| 高速嵌入式记忆(闪存128 kb和SRAM 16kb) |
| 一个广泛范围的增强的外设和I / o连接到两个APB |
| 所有设备提供标准通信接口(两个i2c,两个spi,三个USARTs) |
| 一个12位ADC和三个通用的16位定时器。 |
| STM32F101VBT6中密度接入线路温度在-40 + 85°C |
| 温度范围内,从2.0到3.6 V电源。一组全面的节能模式允许低功耗的设计应用程序。 |
| STM32F101VBT6中密度包括在四个不同的设备接入线路 |
| 根据所选择的设备,不同的设置外围设备包括,下面的描述完整的概述 |
| 这些特性使STM32F101VBT6中密度接入线路单片机适用于广泛的应用，如应用程序控制和用户界面 |
| 医疗和手持设备、电脑周边设备、游戏和GPS平台、工业 |
| 应用程序、PLC、变频器、打印机,扫描仪,报警系统,视频对讲机,暖通空调 |
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| 特性 |
| STM32F101VBT6中密度接入线路嵌入一个嵌套矢量中断 |
| 控制器能够处理多达43可屏蔽的中断通道(不包括16个中断层?m3)和16个优先级级别。 |
| .紧密耦合NVIC提供低延迟中断处理 |
| .中断输入矢量表地址直接传递到核心 |
| .紧密耦合NVIC核心接口 |
| .允许中断的早期处理 |
| .处理晚到达高优先级的中断 |
.支持tail-chaining
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| .处理器状态自动保存 |
.中断进入恢复中断退出没有指令的开销
STM32F101VBT6插脚引线图
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