74AUP1G332GW

一般的描述

74AUP1G332是一种高性能,低功耗,低电压,Si-gate互补金属氧化物半导体元件,优于最先进CMOS兼容TTL家庭。

施密特触发器的行动在所有输入使电路宽容慢输入上升和下降时间在整个VCC范围从0.8 V至3.6 V。

这个设备可以确保静态和动态功耗很低在整个

VCC范围从0.8 V至3.6 V。

这个设备是完全为部分指定使用IOFF省电应用程序。

IOFF电路禁用输出,防止破坏性回流电流设备关闭时。

74年aup1g332提供单个3-input或门。

74AUP1G332GW

特性

■宽的电源电压范围从0.8 V至3.6 V

■高噪声免疫力

■符合电平标准:

◆JESD8-12(0.8 V至1.3 V)

◆JESD8-11(0.9 V至1.65 V)

◆JESD8-7(1.2 V至1.95 V)

◆JESD8-5(1.8 V至2.7 V)

◆JESD8-B(2.7 V至3.6 V)

■ESD保护:

◆HBM JESD22-A114-C类3。超过4000 V

◆MM JESD22-A115-A超过200 V

◆CDM JESD22-C101-C超过1000 V

■低静态功耗;ICC = 0.9μA(最大)

■封闭性能超过100 mA / JESD 78二类

■输入接受电压3.6 V

■低噪声超过和低于< VCC的10%

■IOFF电路提供了部分省电模式操作

■多个包选项

■从指定?40°C + 85°C和?40°C + 125°C

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