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IXTK60N50L2 IXYS MOSFET 60 Amps 500V
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  • 发布日期: 2015年03月18日
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型号IXTK60N50L2厂家IXYS
批号15+封装TO-264
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 60 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 610 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
下降时间: 38 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
系列:
工厂包装数量: 25
商标名:
典型关闭延迟时间: 165 ns
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