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制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V Id-连续漏极电流: 16 A Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Qg-栅极电荷: 14 nC 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 2.1 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 封装: Reel 商标: Texas Instruments 配置: Dual 下降时间: 19 ns 正向跨导 - 最小值: 42 S 最小工作温度: - 55 C 上升时间: 15 ns 系列: CSD88537ND 工厂包装数量: 2500 商标名: NexFET

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