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FQPF8N60C N沟道 MOSFET 晶体管 原装正品保证 找仙童就找芯里程
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,FQPF8N60C N沟道 MOSFET 晶体管 原装正品保证 找仙童就找芯里程

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  • 发布日期: 2015年01月08日
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品牌Fairchild/仙童型号FQPF8N60C
封装TO220F类型绝缘栅型场效应管
沟道类型N沟道导电方式增强型

FQPF8N60C , N沟道 MOSFET 晶体管, 7.5 A, Vds=600 V, 3针

TO-220F封装

QFET? N 通道 MOSFET,6A 至 10A,Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET? 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压(>250V)和低电压(<250V)。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

 

产品技术参数
典型关断延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
典型栅极电荷@Vgs 28 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds 965 pF V @ 25
安装类型 通孔
宽度 4.7mm
封装类型 TO-220F
尺寸 10.16 x 4.7 x 9.19mm
引脚数目 3
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 48 W
最大栅源电压 ±30 V
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 1.2 Ω
最大连续漏极电流 7.5 A
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
类别 功率 MOSFET
通道模式 增强
通道类型 N
配置
长度 10.16mm
高度 9.19mm

 

 

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地址:深圳市福田区振兴路上步工业区2054

网址:  http://www.xlcz-ic.com

公司现货型号:

MOC3061, MOC3062, MOC3022, MOC3021

 

FGL40N120AN, FGA25N120AN, 5M0365R, 5M02659, 5L0380R, 

 

FQP2N60C, FDPF2N60C, FQP2N60C, FDPF4N60C, FQP5N60C, FQPF5N60C, FDPF8N60C, 

FQP8N60C, FQPF8N60C, FDPF10N60C, FQP10N60C, FDPF12N60C, FQPF12N60C, 

 

FDS8938A, FDS4672A, FDS3590, FDS3580, FDS3572, FDS3570, FDS3512, FDS4953A, FDS4470, FDS4463, FDS4435A, 

FDS4410, FDS4936, FDS4935A, FDS6679, FDS8928A, FDS9953A, FDS9945S, FDS9936A, FDS9934C, FDS9933A, FDS9926A, 

FDS6612A, FDS9435A, FDS4559, FDS9431A, FDS9426A, FDS9412, FDS9400, FDS8974A, FDS8958, FDS8947A,FDS8945,

 

KSA13009, FJP13009H2,FJP13007H1, FJP13007H2, HSE13005H1, KSE13005H2, FJP3305H1, FJP3305H2, MJE3055T, MJE2955T, FJP5027R, 

BU406TU, KSC2073等

 

 



 

 

图文
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