MOSFET
晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild
提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压(>250V)和低电压(<250V)。
先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild
MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
产品技术参数
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典型关断延迟时间 |
81
ns |
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典型接通延迟时间 |
16.5
ns |
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典型栅极电荷@Vgs |
28
nC V @ 10 |
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典型输入电容值@Vds |
965
pF V @ 25 |
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安装类型 |
通孔 |
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宽度 |
4.7mm |
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封装类型 |
TO-220F |
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尺寸 |
10.16
x 4.7 x 9.19mm |
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引脚数目 |
3 |
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最低工作温度 |
-55
°C |
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最大功率耗散 |
48
W |
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最大栅源电压 |
±30
V |
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最大漏源电压 |
600
V |
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最大漏源电阻值 |
1.2
Ω |
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最大连续漏极电流 |
7.5
A |
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最高工作温度 |
+150
°C |
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每片芯片元件数目 |
1 |
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类别 |
功率
MOSFET |
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通道模式 |
增强 |
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通道类型 |
N |
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配置 |
单 |
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长度 |
10.16mm |
|
高度 |
9.19mm |
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公司现货型号:
MOC3061, MOC3062, MOC3022, MOC3021
FGL40N120AN, FGA25N120AN, 5M0365R, 5M02659, 5L0380R,
FQP2N60C, FDPF2N60C, FQP2N60C, FDPF4N60C, FQP5N60C, FQPF5N60C, FDPF8N60C,
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FDS8938A, FDS4672A, FDS3590, FDS3580, FDS3572, FDS3570, FDS3512, FDS4953A, FDS4470, FDS4463, FDS4435A,
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FDS6612A, FDS9435A, FDS4559, FDS9431A, FDS9426A, FDS9412, FDS9400, FDS8974A, FDS8958, FDS8947A,FDS8945,
KSA13009, FJP13009H2,FJP13007H1, FJP13007H2, HSE13005H1, KSE13005H2, FJP3305H1, FJP3305H2, MJE3055T, MJE2955T, FJP5027R,
BU406TU, KSC2073等
