| 型号 | PSMN2R6-40YS | 厂家 | NXP |
| 批号 | 2014+ | 封装 | SOT669 |
规格
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） |
4V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
3776pF @ 12V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） |
2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 |
LFPAK56， Power-SO8 |
| 功率 - 最大值 |
131W |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 漏源极电压 (Vdss) |
40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） |
100A（Tc） |
| FET 功能 |
标准 |
| FET 类型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 | |
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