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供应 ON Semiconductor MOSFET： NDD02N40-1G，邓S15220172977
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，供应 ON Semiconductor MOSFET： NDD02N40-1G，邓S15220172977

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2014年08月26日
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品牌ON型号NDD02N40-1G
NDD02N40-1G 20 ON SemIConductor
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:符合RoHS 详细信息
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:400 V
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
Id-连续漏极电流:1.7 A
Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms
配置:Single
Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V
Qg-栅极电荷:5.5 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:39 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:IPAK-3
封装:Tube
商标:ON Semiconductor
下降时间:4 ns
正向跨导 - 最小值:1.1 S
最小工作温度:- 55 C
上升时间:7 ns
工厂包装数量:75
典型关闭延迟时间:14 ns
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