产品型号：K4T1G164QF-BCE7  原装正品，优势供应！    

品牌：SAMSUNG

产品类别： DDR2   

工作电压： 工作温度：：-40~85（℃）

存储介质类别： I/O接口位宽: x 8bit

封装类型：89 FBGA   规格尺寸：7.5*9.5*1.1（mm）

封装材料： 无铅    

标准包装：1280/PACK   (托盘)

K4T1G164QF-BCE7技术特征： K4T1G164QF-BCE7是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，K4T1G164QF-BCE7与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但K4T1G164QF-BCE7内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。

换句话说，K4T1G164QF-BCE7内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。