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• 标准包装：1
  类别：分离式半导体产品
  家庭：FET - 单
  系列：HEXFET?
  FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  FET 特点：逻辑电平门
  漏极至源极电压(Vdss)：20V
  电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：780mA
  开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 610mA，4.5V
  Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
  闸电荷(Qg) @ Vgs：3.6nC @ 4.45V
  输入电容 (Ciss) @ Vds：97pF @ 15V
  功率 - 最大：540mW
  安装类型：表面贴装
  封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  包装：剪切带 (CT)
  其它名称：*IRLML6302TRIRLML6302IRLML6302-NDIRLML6302CT