SPT38L-752MLD

尽管BJT成本低于FET，但BJT驱动要求更加复杂。为解决这一问题，iW1679采用Dialog数字控制专利技术，主动调节BJT基极驱动电流。这样可优化性能，提高效率，避免BJT饱和。由于BJT比FET切换速度慢，它所产生的噪声较低，因此降低了EMI。iW1679采用Dialog的EZ-EMI?技术，这种采用波谷导通开关模式的内部EMI技术，进一步降低了EMI，简化生产并减少所需外部EMI滤波元件。这种技术还包括专利的开关模式，不会产生控制器可闻噪声。

iW1679提供可由用户可配置的四级线压降补偿选项，消除了为满足各种输出电压要求而订购储备多种版本产品的问题。本器件采用标准低成本8引脚SOIC封装，具有各种故障条件的全面保护功能，包括输出短路、输出过压、输出过流和过温保护。