FDN342P FAIRCHILD 场效应管 MOSFET P沟道
产品信息
场效应管 MOSFET P
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 2A
漏源电压, Vds: -20V
在电阻RDS（上）: 62mohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.05V
功耗, Pd: 500mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SuperSOT
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
封装/箱盒: SuperSOT
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 2A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds 典型值: 20V
电压, Vgs 最高: -1.05V
表面安装器件: SMD
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