SER8050-612MEC

特性和优势

FDMA905P:

· 采用2mm x 2mm MicroFET? 封装，器件高度 – 最大0.8mm

· 确保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)

· 具有出色的散热性能(RΘJA = 52 ℃/W)

FDME905PT:

· 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装，器件高度 – 最大0.55mm

· 确保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)

· 具有出色的散热性能(RΘJA = 60 ℃/W)

FDMA905P和FDME905PT不含卤化物和氧化锑，满足RoHS标准的要求。两款器件均可在低电压下安全运作，适用于手机和超便携设备。

飞兆半导体是便携技术的领先厂商，提供可定制的丰富的模拟和功率IP产品系列以满足特定的设计需求，以实现“解决方案助您成功”的目标。通过将先进的电路技术集成在微型高级封装中，飞兆半导体为便携产品用户提供了重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功率。飞兆半导体的便携IP业已用于现今大部分手机中。