极性
产品型号
漏极到源极电压VDSS (V)
漏极电流ID (A)
系列
通道号
TK100S04N1L
40
100
U-MOS VIII-H
主要特性
1. 低导通电阻: RDS(ON) = 1.9mΩ (标准值) (VGS=10V)
2. 低漏电电流: IDSS=10μA (最大值) (VDS=额定电压)
3. "DPAK+" 封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻.
4. 通道温度 = 175°C 保证工作温度
*通过下述链接了解有关该产品的更多信息：http://www.semICon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268084_2470.html