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K6R4016C1D-UC10 ,供应K6R4016C1D-UC10

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  • 发布日期: 2012年08月03日
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型号K6R4016C1D-UC10厂家SAMSUNG
封装tsop  
产品详细说明
256K x 16位高速CMOS静态RAM
的K6R4016C1D 1 4,194,304位高速静态随机
存取记忆体组织为262,144字,由16位。
的K6R4016C1D使用16个常见的输入和输出线和
具有输出使能引脚,运行速度比地址
在读周期的访问时间。它也允许,上下
数据字节控制字节访问(UB,磅)。该设备制作
使用三星¢先进CMOS工艺和
设计用于高速电路技术。它是特别好
适合使用在高密度的高速系统应用。
K6R4016C1D是在400mil 44引脚塑料SOJ包装
(二)向前或48?的BGA或TSOP。
具有一般说明
?快速存取时间为10ns(最大)
?低功耗
待机(TTL):20MA(最大)
(CMOS)的:5MA(最大)
运行-10:65毫安K6R4016C1D(最大)
?单5.0V±10%电源
?TTL兼容输入和输出
?全静态操作
- 无时钟或刷新
?三态输出
?中心电源/接地引脚配置
?数据字节的控制:巴伯:I/O1?I/O8,友联:I/O9?I/O16
?标准引脚配置
K6R4016C1D-J-400-SOJ 44
K6R4016C1D K:44-SOJ-400(无铅)
K6R4016C1D-T 44-TSOP2-400BF
K6R4016C1D - U:44 TSOP2-400BF(无铅)
K6R4016C1D E:0.75球间距48 TBGA
(7毫米x 9mm的)
在商业和工业温度范围内工作。
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