80年代,绝缘栅双极晶体管IGBT器件研发成功。由于IGBT器件具有电压型驱动、驱动功率小、开关速度高、饱和压降低以及可耐高电压、大电流等以及自诊断电路等封装在同一绝缘外壳内,具有智能化的IGBT模块(IPM)。它为电力电子逆变器的高频化、小型化、高可靠性和高性能创造了器件基础
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