MS8000系列加速度

MS8000为微硅电容式传感器，由一片经过微机械处理的硅芯片，用于信号调整的低功率ASIC，用于存储补偿值的微处理器，及温度传感器组成。此产品功耗低，经过标定，结构坚固，输出稳定。新的电子配置为复位提供固态电源，为过电提供全面保护。在全量程范围内比例因子的长期稳定性及偏差典型值小于0.1%。对于MS8002，偏差温度系数典型值为100μg/℃，比例因子温度系数为100ppm/℃。

应用范围
惯性测量：航天；航空与制导、倾斜测量：运输；仪器仪表；钻探、振动测量：地震测量；数据记录仪

 

技术指标

除非另有说明，所有参数值在±20℃（±68℉）及 5.0VDC条件下测得。
	单位	MS8002.D	MS8010.D	MS8030.D	MS8100.D
量程	g	±2	±10	±30	±100
LCC封装， 48pins		无电磁干扰性	无电磁干扰性	无电磁干扰性	无电磁干扰性
偏差标定	mg	<10	<50	<150	<500
48h偏差稳定性 [1]	mg典型值	0.05	<0.25	<0.75	<2.5
年偏差稳定性[2]	mg典型值(最大值)	1.5 (<5)	7.5 (<25)	22 (<75)	75 (<250)
上/掉电重复性	mg(最大值)	<0.15	<0.75	<1.5	<7.5
偏差温度系数[3]	mg/℃典型值 mg/℃最大值	0.1 ±0.4	0.5 ±2	1.5 ±6	3.5 ±20
比例因子，灵敏度（K1）	mV/g	1000±8	200±2	66.6±1	20±1
年比例因子稳定性	ppm 典型值	300 (< 1000)	300 (< 1000)	300 (< 1000)	300 (< 1000)
比例因子温度系数	ppm/℃（典型值）	100	100	100	100
	（最小/最大值）	-50/250	-50/250	-50/250	-50/250
输入轴向误差（Kp,Ko）	mrad(最大值) %(最大值)	<10   1	<10  1	<10   1	<10    1
分辨率/阈值	mg(最大值)	<0.25	<1.3	<3.82	<13
非线性度	% FS（最大值） g(最大值)	<0.8 <0.02	<0.9 <0.09	<0.9 <0.27	<1 <1
带宽[4 ]	Hz	0~≥200	0~≥200	0~≥100	0~≥200
白噪声频谱密度	μV/ hz?典型值 最大值	11 18	11 18	11 18	11 18
共振频率	kHz	1.4	3.7	6.3	11.5

 

环境特性
运行温度		-40℃~+85℃
极限温度		-55℃~+125℃
可靠性		MIL-HDBK-217，等级二
抗冲击		10,000g(0.2ms,1/2 sin,冲击作用于每一轴 o,p,i)
恢复时间		<1ms(1000g, 1/2 sin 1ms,冲击作用于 i轴)
振动		20g rms,20~2000Hz (随机噪声，o ,p,i每轴作用 30分钟 )
LCC封装		符合 MIL-STD-833-E
ESD灵敏度		二级（符合 MIL-STD-883-E，方法一3015.7）
注：	- LCC应牢固固定在 PCB上，使用封装底部作为轴向对准的参考面。

 

电气特性
输入电压（VDD_VSS）	2.5~5.5 VDC.标定标准电压为5.0VDC。
输出电压范围	0.5~4.5 VDC @ 5.0 VDC输入电压（ 0 g时为 2.5V±10mV）
运行电流消耗	<400 μA @ 5.0 VDC
初始化及复位电流消耗	典型值 1400 μA @ 5.0 VDC，初始化阶段（室温下小于35 ms）
复位	本传感器具有过电保护功能。当供电电源以 >380V/s的斜坡增大高于+0.46V时；或供电电源降至低于 2.2V时，传感器自动重启。恢复时间典型值为25ms（最大值35ms）。
输出电阻/负载	最低 10kΩ,在 Vout(pin 32)和 VAGND(pin 38)最高 50pF,在 Vout(pin 32)；和最大 100 μF，在 VAGND(pin 38)

 

温度传感器
20℃时的输出电压	典型值：1.632 V
灵敏度	典型值：-11.77mV/℃
长期稳定性	最大-0.03℃~+0.09℃ (1000h @ 150℃)
精度	±5℃（-40℃~+125℃）

 

物理特性
重量	典型值：1.64g
尺寸	典型值：14.2× 14.2×3.3 mm，最大值：14.48×1 4.48×3.79 mm