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  • 发布日期: 2010年07月16日
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SI1026X-T1-E3 MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F VISHAY
 

SI1026X-T1-E3 MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F VISHAY

3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 MOSFETs - 阵列
系列 -
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 60V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 305mA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 30pF @ 25V
功率 - 最大 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
带卷 (TR)

 

我们长期供应ON SEMI,DIODES,VISHAY,ROHM,FSC,NXP,AOS,ANPEC二三极管

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