描述:MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点:● 20V/5A● RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A● 超大密度单元、极小的RDS(ON)）● 贴片封装：SOP8
应用:● 笔记本电池管理● 便携式设备● 电池电源系统● DC/DC转换● 负载开关