IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路
材料特性
电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构
封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 适合于各种IGBT保护 。(可按客户需求定制特殊规格)
电气特性
电容量: 0.0047 to 6.8μF,参考表格数据
额定电压: 700 to 3000 Vdc
损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min
工作温度: -40~+85℃
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